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 Répondre à la discussion Affichage des résultats 1 à 19 sur 19 04/08/2012, 13h11 #1 Transistor de puissance avec limitation de courant ------ Bonjour! Dans le cadre d'un projet, j'ai le schéma suivant qui se répète n fois pour n sorties: Capture d'écran 2012-08-04 à Il s'agit de laisser passer ou non un courant à travers la charge connectée aux 2 pins (de l'ordre de 2A), grâce à un MOSFET de puissance. Or pour plus de sécurité, je souhaiterais limiter le courant de CHAQUE sortie à 2A, dans le cas d'un court-circuit de la charge par exemple. Ce circuit étant répété plusieurs fois, je souhaite limiter le nombre de composants et faciliter le routage du circuit par la suite... J'ai donc pensé à remplacer le MOSFET par un NPN de puissance (BD241C) dont le courant fourni à la base limitera le courant du collecteur (grâce au hFE). Transistor npn de puissance les. Ainsi, d'après la documentation du BD241C, on a un gain (hFE) d'environ 14 pour un courant de 2A. Il faudrait donc appliquer à la base un courant de (2 / 14)A soit 143mA.

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Transistors et leurs applications – Cours – Electronique Les transistors à effet de champs Il existe plusieurs types de_transistors à effet de champs. Les deux types les plus utilisé sont: les transistors JFET à canal N et P et les_transistors MOSFET à enrichissement e à appauvrissement à canal N ou P. Soit 6 types de transistors. Le JFET C'est un transistor FET à jonction. Transistors de puissance NPN - passelec. Le canal de conduction correspond à la région n, encadrée par deux régions p connectées à l'électrode de grille. Cette grille sert à polariser la jonction PN en inverse de façon à moduler la largeur du canal. Le courant de grille IG correspond au courant de fuite d la jonction PN, il n'est donc pas complétement nul. Cependant il est négligeable comparé au courant de base existant dans le bipolaire. Le MOSFET Le canal de conduction est réalisé par l'application d'un potentiel de grille VGS. Lorsque ce potentiel de grille atteint la tension de seuil VT le transistor se met à conduire. Transistors bipolaires Transistor bipolaire est un élément actif à 3 accès (Base (B), Collecteur (C), Emetteur (E)) constitué de 3 couches semi-conductrices NPN et PNP.

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Un risque, non, ils sont protégés, par contre tu n'arriveras peut-etre même pas à 2A, la limitation fonctionnera avant. Plutot que de faire du rase-mottes avec ce type, choisis en plutot un un peu plus gros, pour avoir de la marge Pas de complexes: je suis comme toi. 07/08/2012, 11h00 #17 Pourquoi la limitation fonctionnerait-elle avant? En fait, ça ne serait pas du "rase-motte", je dois avoir un courant de sortie de 1A au minimum (1A, 1, 2A, 1, 5A....... peu importe) mais de 2 ou 3A au maximum. C'est pour ça que je trouve intéressant les double mosfet à limitation de 1, 7A, mais si tu me dis que la limitation peut se faire avant... ça peut devenir juste effectivement. Transistor npn de puissance paris. Ce même fabricant sembre en avoir à limitation de 2, 6A, mais je ne trouve pas la référence, et encore moins de revendeur pour la France. Et concernant la durée active des mosfets, elle est bien de 10ms au maximum (et ils deviennent actifs/passant une seule fois sur plusieurs heures voire jours... ) 07/08/2012, 11h19 #18 Dans ce cas, il n'y a pas de souci.

Les étapes sont alors les suivantes (pour un NPN). - tester la fonction "diode": tension nulle ou presque quand le fil rouge et le fil noir se touchent. - placer le fil rouge (+) du multimètre sur la base. Placer le fil noir (-) sur l'émetteur. Une tension doit s'afficher, par exemple 638mV. - laisser le fil rouge sur la base. Placer le fil noir (-) sur le collecteur. Une tension voisine doit s'afficher, mais un peu plus faible. La plupart des multimètres détectent cette variation. Par exemple: 636mV. Npn transistor puissance - Achat en ligne | Aliexpress. Dans certains cas, la tension est identique. Cela ne veut pas forcément dire que le transistor est défectueux La tension affichée sur la jonction base-collecteur est un peu plus faible que la tension base-émetteur. Cela est dû à la différence de dopages des zones correspondant au collecteur et à l'émetteur. Collecteur et émetteurs ne jouent pas un rôle symétrique et ne peuvent pas être intervertis. Test d'un transistor défectueux au multimètre La majorité des transistors claquent ou grillent en court-circuit.