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Excitez les électrons de la bande de valence d'énergie inférieure à la bande de conduction d'énergie supérieure. Lorsqu'un grand nombre d'électrons et de trous dans un état d'inversion de population recombinent, une émission stimulée se produit.
Les pérovskites à halogénure de plomb (LHP) de composition CsPbX 3 (X étant un halogénure, tel que I, Cl, Br) ont attiré l'attention de la communauté scientifique en raison des avancées technologiques dans les domaines du photovoltaïque, des LED, de la détection des rayonnements et de la thermométrie. Emetteur de lumiere est. Une limite essentielle à leur application est leur manque de résistance à long terme et leur production avec la structure cristalline requise qui détermine leur comportement électronique et optique. Récemment, Jingwei Hou (Univ. du Queensland, UQ, Australie) et ses collaborateurs ont découvert une nouvelle classe de composites, constitués de nanoparticules de LHPs incorporées et protégées dans des structures organiques métalliques poreuses (« metal-organic frameworks » ou MOFs). Ces composites ont été produits par frittage en phase liquide réalisé dans des conditions de température où les grains solides de LHPs et de MOFs coexistent avec un liquide mouillant, suivi d'une solidification rapide dans l'azote liquide.
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La cavité résonante du laser est formée par la surface de clivage naturelle du cristal semi-conducteur sous forme de miroir de réflexion, qui n'émet généralement pas de lumière. L'extrémité de la lentille est recouverte d'un film diélectrique multicouche à réflexion élevé et la surface de l'émission de lumière est revêtue d'un film anti-réfléchissant. Conditions de gain: La distribution d'inversion des transporteurs dans le milieu de lasage (région active) est établie. Emetteur de lumiere les. Dans les semi-conducteurs, l'énergie des électrons est représentée par une bande d'énergie composée d'une série d'énergie qui sont proches de continu. Par conséquent, afin d'obtenir une inversion de la population dans les semi-conducteurs, il doit être dans la bande de conduction de l'État à haute énergie entre les deux régions de la bande d'énergie. Le nombre d'électrons au bas est beaucoup plus grand que le nombre de trous au sommet de la bande de valence d'état basse énergie. Ceci est réalisé en appliquant un biais avant à l'homojonction ou à l'hétérojonction et à injecter les supports nécessaires dans la couche active.
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