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Cette translation est due à l'effet des charges fixes dans l'isolant, des charges piégées à l'interface et du travail de sortie du métal. Cette tension de bande plate sera très utile pour déterminer la densité de charge fixes dans la couche isolante Q fix, ce qui sera détaillé par la suite. Enfin, en régime dynamique la seule différence qui apparaît est dans le domaine d'inversion ( Figure 4, Zone 3) parce que les porteurs minoritaires n'ont pas le temps de se générer ce qui explique que l'on ne retrouve pas la capacité C oxyde pour les tensions positives. C 1 2 3 C oxyde Figure 4: C(V) en haute fréquence pour MOS avec substrat de type p. 1: accumulation 2: désertion 3: inversion III Étude aux très basses fréquences (quasi-statique) Si on renonce aux trois hypothèses d'idéalité, la caractéristique C(V) est modifiée. Pour la structure MOS réelle, il faut appliquer une tension non nulle, V FB, pour obtenir les bandes plates, car il y a une différence entre le travail de sortie du métal et le "travail de sortie" du semiconducteur, c'est à dire que les niveaux Fermi du métal et du semiconducteur ne sont pas les mêmes ( ms).
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L'effet de charges dans l'isolant revient à une translation horizontale de la courbe C-V. On peut alors calculer le nombre des charges dans l'oxyde en utilisant l'intégrale, ou encore à partir de la tension de bande plateV FB. Cette mesure de la capacité effectuée à une très basse fréquence (quasiment nulle), permet d'avoir sur la caractéristique C(V), d'une part, la réponse des états d'interface et de l'autre, la réponse des porteurs minoritaires (couche d'inversion). La principale technique utilisée est la méthode de Kuhn qui repose sur la mesure du courant de déplacement à travers le dispositif en appliquant une rampe de tension à montée lente. Ce point sera détaillé un peu plus loin dans l'analyse.
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Il est impératif d'obtenir la bonne tension de la bande transporteuse pour que le système fonctionne correctement. La courroie doit se conformer à la couronne de toute poulie présente et être antidérapante même dans les conditions extérieures les plus difficiles. Pour calculer précisément la tension de la bande transporteuse, commencez par collecter toutes les informations dont vous avez besoin et saisissez-les dans un formulaire. Vous devez calculer la tension maximale que vous pouvez appliquer sur le système de courroie, que vous pouvez déterminer en utilisant plusieurs formules spécifiques. Tout d'abord, rassemblez des informations sur l'environnement de travail et les conditions spéciales dans lesquelles le système doit fonctionner, par exemple, le taux de chargement en tonnes par heure, le diamètre de la poulie et les rouleaux de support utilisés. Notez la vitesse de la courroie, la largeur de la courroie et la différence verticale entre les poulies de queue et de tête. Outre la hauteur, la longueur de la bande et les données d'entraînement sont également importantes pour calculer la tension de la bande transporteuse.
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2% et 5% Dureté shore de 65 à 85 shore A (Longueur maxi = 3000 mm) Largeur 10 à 100 mm Largeur 100 à 399 mm Largeur 400 à 750 mm Epaisseur 0. 5 à 0. 9 mm 6 à 10% 2 à 6% -2% Epaisseur 1 à 1. 9 mm 2 à 4% -1% Epaisseur 2 à 3 mm 1 à 2% 0. 5 à 1% -0. 5% Dureté shore de 86 à 100 shore A (Longueur max= 10000 mm) 0. 2 à 0. 5% -0. 2% Les% de tensions indiquées sont donnés à titre informatif, il est nécessaire de faire un calcul précis avec la prise en compte de la charge sur arbre pour déterminer la contrainte sur les axes ou les paliers. Méthodologie pour appliquer la valeur de tension Faire un repère à vide (sans tension) d'une longueur de 1000 mm sur la bande Appliquer la tension de 0. 1 à 0. 5% en fonction de la bande Déplacer le rouleau de tension pour allonger le repère Le repère initial va s'allonger pour obtenir 1003 mm (pour des bandes larges on peut conseiller de faire la mesure des deux côtés pour éviter une différence trop importante de tension qui conduirait à un mauvais guidage de la bande).
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La valeur de la masse de la bobine est utilisée pour adapter la boucle PID ainsi que le signal de sortie lorsque la bobine est en accélération ou en décélération pour une réponse optimale du système à n'importe quel diamètre de bobine. Contrôleur de tension intermédiaire Le contrôleur est connecté aux cellules ou aux bras oscillants au milieu d'un système entre un rouleau pinceur et un rouleau tireur. La sortie du régulateur PID permet de régler la différence de vitesse entre les deux rouleaux et augmente ou diminue leur vitesse pour corriger des variations de tension.
Ensuite, il sera utile d'éliminer chacune de ces hypothèses pour étudier leurs effets sur les caractéristiques de la capacité MOS. I. 1 Mesure pratique de C(V) La convention utilisée est la suivante: le substrat (contact ohmique avec la face arrière) constitue la référence de potentiel. La polarisation V G correspond alors à la différence de tension entre le métal (grille) et la référence ( Figure 1). Metal Oxyde Semiconducteur Figure 1: Schéma du montage de caractérisation C(V). Le cas d'un substrat de silicium de type P sera considéré, sachant que toutes les remarques qui seront faites, seront adaptables pour les MOS à substrat N, mais en prenant garde de changer les signes. Pour faire les mesures, on impose une tension continue de polarisation, V G, que l'on fait varier et à laquelle on superpose un petit signal alternatif damplitude 25mV (≈kT/q) et de fréquence f, fixée. Le pont d'impédance mesure les caractéristiques du circuit (module et phase de l'impédance complexe). Ensuite il traite ces informations et peut les donner sous forme de capacité et conductance en série ou en parallèle, de parties réelle et imaginaire de l'impédance, etc. I.