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Oscillateur à diode de tunnel La diode tunnel aide à générer un signal à très haute fréquence de près de 10 GHz. Un circuit à diode tunnel pratique peut être constitué d'un interrupteur S, d'une résistance R et d'une source d'alimentation V, connectés à un circuit réservoir par une diode tunnel D. Vibrations Lycée Louis Vincent, Metz Metz samedi 9 octobre 2021. Travail La valeur de la résistance choisie doit être telle qu'elle polarise la diode tunnel au milieu de la région de résistance négative. La figure ci-dessous montre le circuit pratique de l'oscillateur à diode tunnel. Dans ce circuit, la résistance R 1 ensembles de sollicitation approprié pour la diode et la résistance R 2 ensembles appropriée de niveau de courant pour le circuit de réservoir. La combinaison parallèle de la résistance R p, de l' inductance L et du condensateur C forme un circuit réservoir, qui résonne à la fréquence sélectionnée. Lorsque l'interrupteur S est fermé, le courant du circuit monte immédiatement vers la valeur constante, dont la valeur est déterminée par la valeur de la résistance R et la résistance de la diode.

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Portrait de Ioula Timochenko 20 heures le journal - 13. 06. 2005 - 02:32 - vidéo Portrait à base d'images d'archives consacré à Ioula TIMOCHENKO, premier ministre femme d'Ukraine. Elle évoque sa position de femme politique. Oscillateur de Quartz TTL DIP 8,19200 Mhz. Interview de Viktor PINZENIK, ministre des finances ukrainien, qui parle de Ioula TIMOCHENKO. Producteur / co-producteur France 2 Générique Journaliste: Anne Ponsinet Participant: Ioulia Tymochenko S'orienter dans la galaxie INA Vous êtes particulier, professionnel des médias, enseignant, journaliste...? Découvrez les sites de l'INA conçus pour vous, suivez-nous sur les réseaux sociaux, inscrivez-vous à nos newsletters. Suivre l' INA éclaire actu Chaque jour, la rédaction vous propose une sélection de vidéos et des articles éditorialisés en résonance avec l'actualité sous toutes ses formes.

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Le circuit oscillateur construit à l'aide d'une diode tunnel est appelé oscillateur à diode tunnel. Si la concentration d'impuretés d'une jonction PN normale est fortement augmentée, Tunnel diode est formé. Il est également connu sous le nom de Esaki diode, d'après son inventeur. Diode de tunnel Lorsque la concentration d'impuretés dans une diode augmente, la largeur de la région d'appauvrissement diminue, étendant une force supplémentaire aux porteurs de charge pour traverser la jonction. Lorsque cette concentration est encore augmentée, en raison de la largeur moindre de la région d'appauvrissement et de l'énergie accrue des porteurs de charge, ils pénètrent à travers la barrière de potentiel, au lieu de la franchir. Cette pénétration peut être comprise comme Tunneling et d'où le nom, Tunnel diode. L'image suivante montre à quoi ressemble une diode tunnel pratique. Les symboles de la diode tunnel sont indiqués ci-dessous. Pour plus de détails sur les diodes tunnel, veuillez consulter notre didacticiel sur l' électronique de base.